共用設備検索

フリーワード検索

検索したいキーワードを入力してデータを絞り込みます。

用途
設置場所

電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]

電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]
メーカー
日本電子
型番
JBX-8100FS
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2023
用途
リソグラフィ
仕様
加速電圧:200kV
電流値:5pA~200nA
つなぎ精度:20nm以下
重ね合わせ精度:20nm以下
最大試料サイズ:8インチΦ

EB描画、EBリソグラフィー、電子線描画、電子線リソグラフィー、EB露光、電子線露光、グレースケール露光

電子ビーム描画装置 [ELS-F125]

電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
メーカー
エリオニクス
型番
ELS-F125
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2014
用途
リソグラフィ
仕様
加速電圧:125kV
電流値:100pA~5nA
つなぎ精度:20nm以下
重ね合わせ精度:25nm以下
最大試料サイズ:6インチΦ

EB描画、EBリソグラフィー、電子線描画、電子線リソグラフィー、EB露光、電子線露光、グレースケール露光、EB Lithography, E-Beam Lithography, Electron Beam Lithography, EB Exposure, E-Beam Exposure, Electron Beam Exposure, Grayscale Exposure

電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]

電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
メーカー
エリオニクス
型番
ELS-BODEN100
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
2022
用途
リソグラフィ
仕様
加速電圧:100kV
電流値:100pA~20nA
つなぎ精度:30nm以下
重ね合わせ精度:35nm以下
最大試料サイズ:8インチΦ

EB描画、EBリソグラフィー、電子線描画、電子線リソグラフィー、EB露光、電子線露光、グレースケール露光、EB Lithography, E-Beam Lithography, Electron Beam Lithography, EB Exposure, E-Beam Exposure, Electron Beam Exposure, Grayscale Exposure,

レーザー描画装置 [DWL66+]

レーザー描画装置 [DWL66+]
メーカー
ハイデルベルグ・インスツルメンツ
型番
DWL66+
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2021
用途
リソグラフィ
仕様
露光方式:レーザー直接描画
光源:375nm半導体レーザー
解像度:0.3um (HiRes時)
位置決め精度:0.5um以下
重ね合わせ精度:0.5um以下
最大試料サイズ:8インチ角

レーザーリソグラフィー、レーザー露光、半導体レーザー、グレースケール露光、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser, Grayscale Exposure

マスクレス露光装置 [DL-1000]

マスクレス露光装置 [DL-1000]
メーカー
ナノシステムソリューションズ
型番
DL-1000
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
---
用途
リソグラフィ
仕様
露光方式:DMD
光源:405nm半導体レーザー
解像度:1um
位置決め精度:1um以下
重ね合わせ精度:1um以下
最大試料サイズ:4インチ角

レーザーリソグラフィー、レーザー露光、レーザー描画、半導体レーザー、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser

マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]

マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
メーカー
ナノシステムソリューションズ
型番
DL-1000/NC2P
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
2014
用途
リソグラフィ
仕様
露光方式:DMD
光源:405nm半導体レーザー
解像度:1um
位置決め精度:1um以下
重ね合わせ精度:1um以下
最大試料サイズ:8インチ角

レーザーリソグラフィー、レーザー露光、レーザー描画、半導体レーザー、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser

マスクレス露光装置 [MLA150]

マスクレス露光装置 [MLA150]
メーカー
ハイデルベルグ・インスツルメンツ
型番
MLA150
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2023
用途
リソグラフィ
仕様
露光方式:DMD
光源:375nm半導体レーザー
解像度:1um
位置決め精度:0.5um以下
重ね合わせ精度:0.5um以下
最大試料サイズ:8インチ角

レーザーリソグラフィー、レーザー露光、レーザー描画、半導体レーザー、グレースケール露光、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser, Grayscale Exposure

マスクアライナー [MA-6]

マスクアライナー [MA-6]
メーカー
ズース・マイクロテック
型番
MA-6
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
リソグラフィ
仕様
露光方式:フォトマスク
光源:水銀ランプ
解像度:1um
位置決め精度:1um以下
重ね合わせ精度:1um以下
最大試料サイズ:3インチΦ

コンタクトアライナー、コンタクトマスクアライナー、水銀ランプ、Contact Aligner, Contact Mask Aligner

水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]

水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
メーカー
サムコ
型番
AQ-500 #1
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2021
用途
洗浄
仕様
高周波出力:50-250W
反応ガス:H2O,O2
最大試料サイズ:8インチΦ

アクアプラズマ、O2プラズマ、アッシング、RIE、エッチング、アッシャー、エッチャー、基板クリーニング、Aqua Plasma, O2 Plasma, Ashing, RIE, Etching, Asher, Etcher, Substrate Cleaning

水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]

水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
メーカー
サムコ
型番
AQ-500 #2
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
2023
用途
洗浄
仕様
高周波出力:50-250W
反応ガス:H2O,O2
最大試料サイズ:8インチΦ

アクアプラズマ、O2プラズマ、アッシング、RIE、エッチング、アッシャー、エッチャー、基板クリーニング、Aqua Plasma, O2 Plasma, Ashing, RIE, Etching, Asher, Etcher, Substrate Cleaning

UVオゾンクリーナー [UV-1]

UVオゾンクリーナー [UV-1]
メーカー
サムコ
型番
UV-1
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
洗浄
仕様
光源:UVランプ (253.7nm及び184.9nm, 110W出力)
オゾン発生器:無声放電方式
ステージ温度:室温~300度
最大試料サイズ:8インチΦ

基板クリーニング、Substrate Cleaning

スパッタ装置 [JSP-8000]

スパッタ装置 [JSP-8000]
メーカー
アルバック
型番
JSP-8000
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
---
用途
薄膜形成
仕様
電源:DC x 2, RF x 1
電源出力:500W
ターゲット:4インチΦ×4式
プロセスガス:Ar,O2,N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃(設定値)

スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
メーカー
芝浦メカトロニクス
型番
CFS-4EP-LL #2
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
---
用途
薄膜形成
仕様
電源:DC×2、RF×1
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar、O2、N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃(設定値)

スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]
メーカー
芝浦メカトロニクス
型番
CFS-4EP-LL #3
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2019
用途
薄膜形成
仕様
電源:DC x 1, RF x 2
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar,O2,N2
最大試料サイズ:8インチΦ
基板加熱:なし(水冷式)

スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]
メーカー
芝浦メカトロニクス
型番
CFS-4EP-LL
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
2023
用途
薄膜形成
仕様
電源:DC×2、RF×1
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar、O2、N2
最大試料サイズ:8インチΦ
基板加熱:最高300℃(設定値)

スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering

電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]

電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
メーカー
アールデック
型番
RDEB-1206K
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
薄膜形成
仕様
加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:6インチΦ
材料:Ti, Au, Pd, Cu, Ag, Cr, SiO2, MgO, 他

EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition

電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]

電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
メーカー
アールデック
型番
ADS-E86
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2021
用途
薄膜形成
仕様
加速電圧:6kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:8インチΦ
材料:Ti, Au-Ge, Al, Ni, Au, Pt

EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition

電子銃型蒸着装置 [MB-501010]

電子銃型蒸着装置 [MB-501010]
メーカー
エイコー
型番
MB-501010
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
2019
用途
薄膜形成
仕様
加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:700mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:6インチΦ
材料:Ag, Pd, Au, Pt, Al, Ti, Cr, Ni, 他

EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition

電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]

電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]
メーカー
アールデック
型番
ADS-E810
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
2023
用途
薄膜形成
仕様
加速電圧:6kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:8インチΦ
材料:Ti, Au-Ge, Al, Ni, Au, Pt, Pd, Ag, etc.

EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition

原子層堆積装置 [SUNALE R-150]

原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
メーカー
ピコサン
型番
SUNALE R-150
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
---
用途
薄膜形成
仕様
成膜方式:サーマルまたはプラズマ
原料:TMA(Al2O3), TDMAT(TiO2), TDMAS(SiO2), TDMAHf(HfO2), ZrCp(ZrO2)
最大試料サイズ:6インチΦ
基板温度:室温~300℃(設定)

ALD、Atomic Layer Deposition,

原子層堆積装置 [AD-230LP]

原子層堆積装置 [AD-230LP]
メーカー
サムコ
型番
AD-230LP
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2021
用途
薄膜形成
仕様
成膜方式:サーマルまたはプラズマ
原料:TMA(Al2O3, AlN), TDMAT(TiO2, TiN), BDEAS,(SiO2, SiN)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:室温~500℃(設定)

ALD、Atomic Layer Deposition,

SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]

SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
メーカー
サムコ
型番
PD-220NL
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2022
用途
薄膜形成
仕様
成膜方式:2周波プラズマCVD
原料:TEOS (SiO2)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:100℃以下~400℃

応力制御、Stress Control,

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
メーカー
サムコ
型番
PD-220NL
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
薄膜形成
仕様
成膜方式:プラズマCVD
原料:SN-2 (SiN)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:200℃(標準)

リフトオフ装置 [KLO-150CBU]

リフトオフ装置 [KLO-150CBU]
メーカー
カナメックス
型番
KLO-150CBU
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2016
用途
薄膜形成
仕様
レジスト膨潤:80℃ NMP溶液
レジスト剥離:高圧ジェットNMP溶液
リンス:IPA, 純水
乾燥:スピン乾燥、N2ブロー
最大試料サイズ:6インチΦ

CCP-RIE装置 [RIE-200NL]

CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
メーカー
サムコ
型番
RIE-200NL
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:平行平板型
電源出力:300W
プロセスガス:CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:8インチΦ

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]

ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
メーカー
サムコ
型番
RIE-101iPH
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
試料ステージ温度:-20℃~室温
最大試料サイズ:4インチΦ

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]

ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]
メーカー
住友精密工業
型番
RV-APS-SE
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大3kW
バイアス出力:最大1kW
プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
試料ステージ温度:-10~+40℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

ICP-RIE装置 [CE300I]

ICP-RIE装置 [CE300I]
メーカー
アルバック
型番
CE300I
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Ar, O2, SF6, Cl2, BCl3, CF4, CHF3
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:6インチΦ

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]

シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
メーカー
住友精密工業
型番
ASE-SRE
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大100W
プロセスガス:SF6,C4F8,Ar,O2
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:ボッシュプロセス対応

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]

原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
メーカー
オックスフォード・インスツルメンツ
型番
PlasmaPro 100 ALE
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2020
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大3kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2,BCl3,SF6,Ar,N2,O2
試料ステージ温度:-30~+80℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #1]

低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #1]
メーカー
住友精密工業
型番
APX-Spica
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2023
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:CHF3, CF4, C4F8, SF6, Ar,N2,O2
試料ステージ温度:+10~+30℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2]

低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2]
メーカー
住友精密工業
型番
APX-Spica
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2023
用途
エッチング
仕様
プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2, SiCl4, SF6, Ar,N2,O2
試料ステージ温度:+10~+30℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり

エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
メーカー
アドバンス理工
型番
RTP-6 #1
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
熱処理
仕様
加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:室温~1000℃
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:N2, Ar+H2(3%), Ar, O2
最大試料サイズ:6インチΦ

RTA、Rapid Thermal Annealer,

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]
メーカー
アドバンス理工
型番
RTP-6 #2
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2021
用途
熱処理
仕様
加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:Ar, N2, Ar+H2(3%)
最大試料サイズ:6インチΦ

RTA、Rapid Thermal Annealer,

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
メーカー
アドバンス理工
型番
RTP-6 #3
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2022
用途
熱処理
仕様
加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:N2, Ar+H2(3%), O2
最大試料サイズ:6インチΦ

RTA、Rapid Thermal Annealer,

FE-SEM [S-4800]

FE-SEM [S-4800]
メーカー
日立ハイテク
型番
S-4800
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.1~2kV
倍率:20~800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.4 nm (1 kV)
検出器:SE
最大試料サイズ:6インチΦ

電子顕微鏡、Scanning Electron Microscope

FE-SEM+EDX [S-4800]

FE-SEM+EDX [S-4800]
メーカー
日立ハイテク
型番
S-4800
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.1~2kV
倍率:20~800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.4 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:HORIBA社製X-MAX80

電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping

FE-SEM+EDX [SU8000]

FE-SEM+EDX [SU8000]
メーカー
日立ハイテク
型番
SU8000
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.1~2kV
倍率:20~800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.3 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:4インチΦ
EDX:Bruker社製 FQ5060

電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping

FE-SEM+EDX [SU8230]

FE-SEM+EDX [SU8230]
メーカー
日立ハイテク
型番
SU8230
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
2014
用途
観察・解析
仕様
加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.01~2kV
倍率:20~1,000K
分解能:0.8 nm (15 kV) , 1.1 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:HORIBA社製X-MAX80

電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping

卓上電子顕微鏡 [TM3000]

卓上電子顕微鏡 [TM3000]
メーカー
日立ハイテク
型番
TM3000
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
2013
用途
観察・解析
仕様
加速電圧:5/15 kV
リタ―ディング:
倍率:15~10K
分解能:
検出器:BSE
最大試料サイズ:70mm
EDX:Bruker社製 Xflash MIN

電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping

走査型プローブ顕微鏡 [Jupiter XR]

走査型プローブ顕微鏡 [Jupiter XR]
メーカー
オックスフォード・インスツルメンツ
型番
Jupiter XR
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2021
用途
観察・解析
仕様
測定モード:形状測定、メカニカル測定、電気測定、磁気測定、等
走査範囲:90um x 90um
ステージ可動範囲:200mm角
最大試料サイズ:8インチΦ

AFM、SPM、AMF, Atomic Force Microscope, Scanning Probe Microscope

走査型プローブ顕微鏡 [L-trace]

走査型プローブ顕微鏡 [L-trace]
メーカー
日立ハイテク
型番
L-trace
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
測定モード:コンタクトAFM、タッピングAFM、摩擦力顕微鏡
走査範囲:90um x 90um
最大試料サイズ:6インチΦ

AFM、SPM、AMF, Atomic Force Microscope, Scanning Probe Microscope

走査型プローブ顕微鏡 [Nanoscope5]

走査型プローブ顕微鏡 [Nanoscope5]
メーカー
ブルカー
型番
Nanoscope5
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
測定モード:コンタクトAFM, タッピングAFM,
磁気力顕微鏡, 電気化学STM, 液相 AFM.
走査範囲:16um x 16um
ステージ可動範囲:3mm x 3mm
最大試料サイズ:12mmΦ以下

AFM、SPM、AMF, Atomic Force Microscope, Scanning Probe Microscope

レーザー顕微鏡 [LEXT OLS4000]

レーザー顕微鏡 [LEXT OLS4000]
メーカー
オリンパス
型番
LEXT OLS4000
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
光源:405nm半導体レーザー
分解能:XY:0.12um/Z:0.01um
観察モード:レーザー観察,白色光明視野,微分干渉観察
最大試料サイズ:100mm角

レーザー顕微鏡 [VK-9700]

レーザー顕微鏡 [VK-9700]
メーカー
キーエンス
型番
VK-9700
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
観察・解析
仕様
光源:408nm半導体レーザー
分解能:
観察モード:レーザー観察,白色光明視野
最大試料サイズ:100mmΦ

カラーレーザー、Color Laser,

触針式プロファイラー [Dektak XT-A]

触針式プロファイラー [Dektak XT-A]
メーカー
ブルカー
型番
Dektak XT-A
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
導入年
2021
用途
評価・計測
仕様
分解能:1Å(6.5umレンジ)
走査距離:55mm
触圧範囲:0.03-15mg
最大試料サイズ:8インチΦ
その他:自動ステージ3Dマッピング

デクタク、段差計、マッピング、Dektak, Surface Profiler, Surface Shape Measurement, Surface Roughness Measurement, Mapping

触針式プロファイラー [Dektak 6M]

触針式プロファイラー [Dektak 6M]
メーカー
ブルカー
型番
Dektak 6M
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
垂直分解能:0.1 nm
垂直測定高さ:262μm(最大)
測定長:50 μm~30 mm
最大試料サイズ:

デクタク、段差計、Dektak, Surface Profiler, Surface Shape Measurement, Surface Roughness Measurement,

エリプソメーター [MARY-102FM]

エリプソメーター [MARY-102FM]
メーカー
ファイブラボ
型番
MARY-102FM
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
光源:632nm He-Neレーザー
ビーム径:0.8mm
入射角:50度、60度、70度
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:自動マッピング

薄膜測定、Thin Film Measurement, Film Thickness Measurement,

分光エリプソメーター [M2000]

分光エリプソメーター [M2000]
メーカー
JAウーラム
型番
M2000
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
光源:重水素ハロゲンランプ
分光範囲:250-1000nm
入射角:45度~90度
最大試料サイズ:6インチΦ

薄膜測定、Thin Film Measurement, Film Thickness Measurement, Spectroscopy

分光エリプソメーター [UNECS-2000A]

分光エリプソメーター [UNECS-2000A]
メーカー
アルバック
型番
UNECS-2000A
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2023
用途
評価・計測
仕様
光源:ハロゲンランプ
分光範囲:530-750nm
入射角:70度
最大試料サイズ:8インチΦ

膜厚測定、屈折率測定、薄膜、マッピング、thickness, Profile, refractive index, mapping

顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]

顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]
メーカー
フィルメトリクス
型番
F54-XY-200-UV
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2020
用途
評価・計測
仕様
光源:重水素ハロゲンランプ
波長:190-1100nm
スポット径:10 um以下
測定膜厚範囲:5nm~30um
最大試料サイズ:8インチφ
その他:自動マッピング

薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]

薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]
メーカー
東朋テクノロジー
型番
FLX-2000-A
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2018
用途
評価・計測
仕様
測定方式:レーザースキャン方式
測定範囲:1~4000MPa
測定再現性:1.3MPa(1σ)
試料サイズ:3,6,8インチΦ
その他:3Dマッピング機能

室温プローバー [MX-200/B]

室温プローバー [MX-200/B]
メーカー
ベクターセミコン
型番
MX-200/B
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端子:4ユニット
C-V測定端子:1ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:試料ステージ電圧印加可

室温プローバー [HMP-400]

室温プローバー [HMP-400]
メーカー
ハイソル
型番
HMP-400
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端子:4ユニット
C-V測定端子:1ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:試料ステージ加熱機構

電気特性、IV、CV、Electrical Properties Measurement, Electrical Characteristic Measurement

低温プローバー [GRAIL-408-32-B]

低温プローバー [GRAIL-408-32-B]
メーカー
ナガセテクノエンジニアリング
型番
GRAIL-408-32-B
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
試料冷却方式:無冷媒式
プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端:4ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
温度:8Kから300Kまで可変

電気特性、IV、CV、Electrical Properties Measurement, Electrical Characteristic Measurement

液体窒素プローバー [SB-LN2]

液体窒素プローバー [SB-LN2]
メーカー
サーマルブロック
型番
SB-LN2
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
試料冷却方式:液体窒素
プローブ:SMAプローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端:4ユニット
最大試料サイズ:20mm角
温度:77Kから500Kまで可変

電気特性、IV、CV、Electrical Properties Measurement, Electrical Characteristic Measurement

ワイヤーボンダー [7476D #1]

ワイヤーボンダー [7476D #1]
メーカー
ウェストボンド
型番
7476D #1
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
ボンディング方式:超音波/熱圧着
ボンディングウェッジ:45度、90度
ワイヤー材質:金線,アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下
最大試料サイズ:50mm角

ウェッジボンダー、Au、Al、Wedge Bonder

ワイヤーボンダー [7476D #2]

ワイヤーボンダー [7476D #2]
メーカー
ウェストボンド
型番
7476D #2
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
評価・計測
仕様
ボンディング方式:超音波/熱圧着
ボンディングウェッジ:45度、90度
ワイヤー材質:金線,アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下
最大試料サイズ:50mm角

ェッジボンダー、Au、Al、Wedge Bonder

ダイシングソー [DAD322]

ダイシングソー [DAD322]
メーカー
ディスコ
型番
DAD322
設置場所
千現地区 材料信頼性実験棟
夜間運転
×
導入年
2018
用途
切削
仕様
切削刃:ダイヤモンドブレード
切削範囲:XY:162mm以下
最大試料サイズ:6インチφ

切断、基板カット、チップ化、Substrate Cutting, Chips

ダイシングソー [DAD3220]

ダイシングソー [DAD3220]
メーカー
ディスコ
型番
DAD3220
設置場所
並木地区 MANA棟
夜間運転
×
導入年
---
用途
切削
仕様
切削刃:ダイヤモンドブレード
切削範囲:XY:162mm以下
最大試料サイズ:6インチφ

切断、基板カット、チップ化、Substrate Cutting, Chips