類似装置比較

リソグラフィ（電子ビーム）

機器名称		電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]	電子ビーム描画装置 [ELS-F125]	電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
メーカー		日本電子	エリオニクス	エリオニクス
設置場所		千現地区	千現地区	並木地区
仕様	加速電圧	100kV (Max200kV)	125kV	100kV
	電流値	50pA～50nA	100pA~5nA	100pA~20nA
	フィールドサイズ	500um	100, 250, 500um	100, 250, 500, 1000um
	最小ドットピッチ	0.25nm	0.1nm	0.2nm
	最小ショットタイム	8nsec/dot	10nsec/dot	10nsec/dot
	フィールドつなぎ精度	20nm以下	20nm以下	30nm以下
	重ね合わせ精度	20nm以下	25nm以下	35nm以下
	最大試料サイズ	小片～8インチφ	小片～6インチφ	小片～8インチφ
	画像検出器	SE、BSE	SE、BSE	SE、BSE
	対応CADフォーマット	GDSII、DXF、他	GDSII, DXF、他	GDSII, DXF、他
	制御ソフト	jbxwriter	WecasおよびSEM-GUI	elms
	その他	12カセットオートローダー光学顕微鏡（試料表面観察用）		シングルカセットオートローダー

リソグラフィ（光露光）

機器名称		レーザー描画装置 [DWL66+]	マスクレス露光装置 [DL-1000]	マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]	マスクレス露光装置 [MLA150]	マスクアライナ [MA-6]
メーカー		ハイデルベルグ・インストルメンツ	ナノシステムソリューションズ	ナノシステムソリューションズ	ハイデルベルグ・インストルメンツ	ズース・マイクロテック
設置場所		千現地区	並木地区	並木地区	千現地区	並木地区
仕様	露光方式	レーザー直接描画	DMD	DMD	DMD	フォトマスク（等倍）
	露光モード	ラスタースキャン、ベクタースキャン	ステップ＆リピート描画	スキャニング露光、ステップ＆リピート描画	スキャニング露光
	光源	375nm 半導体レーザー	405nm 半導体レーザー	405nm 半導体レーザー	375nm 半導体レーザー	Hg lamp (i線、h線、g線)
	照度	70mW	300mW	10W	7.2W	15mW/cm²
	解像度	0.3µm(HiRes), 0.6µm(WH4mm), 0.8µm(WH5mm), 1.0µm(WH10mm)	1µm	1µm	1µm	0.75µm（最小孤立線幅）
	位置決め精度	0.5µm以下	1µm以下	1µm以下	0.5µm以下	1µm以下
	重ね合わせ精度	0.5µm以下	1µm以下	1µm以下	0.5µm以下	1µm以下
	最大試料サイズ	8インチ角	4インチ角	8インチ角	8インチ角	3インチΦ
	対応CADフォーマット	GDSII, DXF、他画像ファイル等	GDSII, DXF、他画像ファイル等	GDSII, DXF、他画像ファイル等
	アライメント機能	自動／手動	自動／手動	自動／手動		手動
	その他

薄膜形成（スパッタ）

機器名称		スパッタ装置 [JSP-8000]	スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]	スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]	スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]
メーカー		アルバック	芝浦メカトロニクス	芝浦メカトロニクス	芝浦メカトロニクス
設置場所		千現地区	並木地区	並木地区	千現地区
仕様	方式	マグネトロンスパッタ	マグネトロンスパッタ	マグネトロンスパッタ	マグネトロンスパッタ
	電源	DC x 2, RF x 1	DC x 2, RF x 1	DC x 2, RF x 1	DC x 1, RF x 2
	電源出力	500W	500W	500W	500W
	カソード	φ4インチ×4式	φ3インチ×4式（強磁性用１）	φ3インチ×4式	φ3インチ×4式（強磁性用１）
	プロセスガス	Ar，O₂，N₂	Ar、O₂、N₂	Ar、O₂、N₂	Ar，O₂，N₂
	最大試料サイズ	6インチφ	6インチφ	8インチφ	8インチφ
	基板加熱	最高300℃（設定値）	最高300℃（設定値）	最高300℃（設定値）	なし（基板冷却仕様）
	試料ステージ水冷	あり	なし	なし	あり
	プログラム制限	なし	ステップ数：10 プログラム数：10	ステップ数：10 プログラム数：10	ステップ数：10 プログラム数：50
	その他	3元同時スパッタ逆スパッタ磁性材料対応	2元同時スパッタ逆スパッタバイアススパッタ磁性材料対応	3元同時スパッタ逆スパッタバイアススパッタ	2元同時スパッタ逆スパッタバイアススパッタ磁性材料対応

薄膜形成（真空蒸着）

機器名称		電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]	電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]	電子銃型蒸着装置 [MB-501010]	電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]
メーカー		アールデック	アールデック	エイコー	アールデック
設置場所		千現地区	千現地区	並木地区	並木地区
仕様	加速電圧	10kV	6kV	10kV	6kV
	最大エミッション	500mA	500mA	500mA	500mA
	T-S間距離	500mm	500mm	700mm	500mm
	到達真空度	10-⁵Pa	10-⁵Pa	10-⁵Pa	10-⁵Pa
	るつぼ	20cc×12個	20cc×6個	10cc×10個	20cc×10個
	最大試料サイズ	6インチφ	8インチφ	6インチφ	8インチφ
	水冷式試料ステージ	あり	あり	なし	あり
	その他	全自動多層成膜	全自動多層成膜	全自動多層成膜	全自動多層成膜
	材料	Ti, Au, Pd, Cu, Ag, Cr, SiO2, MgO, 他	Ti, Au-Ge, Al, Ni, Au, Pt	Ag, Pd, Au, Pt, Al, Ti, Cr, Ni,他	Al, Ti, Ni, AuGe, Pt, Au, Pd, Ag, Cr, 他

薄膜形成（ALD, CVD）

機器名称		原子層堆積装置 [SUNALE R-150]	原子層堆積装置 [AD-230LP]	SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]	SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
メーカー		アルテック/Picosun	サムコ	サムコ	サムコ
設置場所		並木地区	千現地区	千現地区	千現地区
仕様	成膜方式	サーマルまたはプラズマALD	サーマルまたはプラズマALD	平行平板型プラズマ方式	平行平板型プラズマ方式
	原料	TMA(Al₂O₃) TDMAT(TiO₂) TDMAS(SiO₂) TDMAHf(HfO₂) ZrCp(ZrO₂)	TMA(Al₂O₃, AlN) TDMAT(TiO₂, TiN) BDEAS,(SiO₂, SiN)	TEOS (SiO₂)	SN-2 (SiN)
	酸化剤	H₂O, O₂ Plasma	H₂O, O₃, O₂ Plasma	O2 Plasma
	窒化剤		N2 Plasma, NH3 Plasma		N2 Plasma
	最大試料サイズ	6インチφ	8インチφ	8インチφ	8インチφ
	基板温度	室温～300℃（設定）	室温～500℃（設定）	100℃以下～400℃	200℃（標準）
	電源出力			30-300W	30-300W
	その他			２周波CVD

ドライエッチング（RIE）

機器名称		CCP-RIE装置 [RIE-200NL]	ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]	ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]	ICP-RIE装置 [CE300I]	シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]	原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]	低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #1]	低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2]
メーカー		サムコ	サムコ	住友精密	アルバック	住友精密	Oxford Instruments	住友精密	住友精密
設置場所		並木地区	並木地区	千現地区	並木地区	並木地区	千現地区	千現地区	千現地区
仕様	プラズマ励起方式	平行平板型	誘導結合型	誘導結合型	誘導結合型	誘導結合型	誘導結合型	誘導結合型	誘導結合型
	電源出力	300W	・ICP：最大1kW ・バイアス：最大300W	・ICP：最大3kW ・バイアス：最大1kW	・ICP：最大1kW ・バイアス：最大300W	・ICP：最大1kW ・バイアス：最大100W	・ICP：最大3kW ・バイアス：最大300W	・ICP：最大1kW ・バイアス：最大300W	・ICP：最大1kW ・バイアス：最大300W
	プロセスガス	CHF₃，CF₄，SF₆，Ar， O₂，N₂	Cl₂，BCl₃，Ar，O₂，N₂	CHF₃，CF₄，C₄F₈，SF₆，Ar，O₂，He	Ar, O₂, SF₆, Cl₂, BCl₃, CF₄, CHF₃	SF₆，C₄F₈，Ar，O₂	Cl₂，BCl₃，SF₆，Ar， N₂，O₂	CHF₃，CF₄，C₄F₈，SF₆，Ar，N_2，O₂	Cl₂，SiCl₄，SF₆，Ar， N_2，O₂
	試料ステージ温度	室温	-20~+200℃	-10～+40℃	室温	室温	-30~+80 ℃	+10~+30 ℃	+10~+30 ℃
	最大試料サイズ	8インチφ	4インチφ	4インチφ	6インチφ	6インチφ	6インチφ	6インチφ	6インチφ
	終点検出機能	-	-	あり	-	-	あり	あり	あり
	その他					ボッシュプロセス対応

熱処理（RTA）

機器名称		赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]	赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]	赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
メーカー		アルバック	アルバック	アルバック
設置場所		並木地区	千現地区	千現地区
仕様	加熱方式	赤外線ランプによる上部片面加熱	赤外線ランプによる上部片面加熱	赤外線ランプによる上部片面加熱
	プロセス温度	室温～1000℃	1100℃以下	1100℃以下
	昇温速度	10℃/秒以下	10℃/秒以下	10℃/秒以下
	プロセスガス	N2, O2, Ar+H2(3%)	Ar, N2, Ar+H2(3%)	N2, O2, Ar+H2(3%)
	最大試料サイズ	6インチφ	6インチφ	6インチφ
	その他		PC制御（タッチパネル併用）	PC制御（タッチパネル併用）

電子顕微鏡（SEM）

機器名称		FE-SEM [S-4800]	FE-SEM+EDX [S-4800]	FE-SEM+EDX [SU8000]	FE-SEM+EDX [SU8230]	卓上電子顕微鏡 [TM3000]
メーカー		日立ハイテク	日立ハイテク	日立ハイテク	日立ハイテク	日立ハイテク
設置場所		千現地区	並木地区	並木地区	並木地区	並木地区
仕様	加速電圧	0.5～30kV	0.5～30kV	0.5～30kV	0.5～30kV	5／15 kV
	リタ―ディング	0.1～2kV	0.1～2kV	0.1～2kV	0.01～2kV
	倍率	20～800K	20～800K	20～800K	20～1,000K	15～10K
	分解能	1.0 nm (15 kV) 1.4 nm (1 kV)	1.0 nm (15 kV) 1.4 nm (1 kV)	1.0 nm (15 kV) 1.3 nm (1 kV)	0.8 nm (15 kV) 1.1 nm (1 kV)
	検出器	SE、BSE	SE、BSE	SE、BSE	SE、BSE	BSE
	最大試料サイズ	φ6インチ	φ6インチ	φ4インチ	φ6インチ	70mm
	EDX		HORIBA社製X-MAX80	Bruker社製 FQ5060	HORIBA社製X-MAX80	Bruker社製 Xflash MIN
	その他			高速マッピング		低真空

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【更新日】2024年9月12日
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